半导体物理与器件基础
Fundamentals of Semiconductor Physics and Devices
1 第一单元
1.1 半导体物理与器件-导论
1.2 半导体器件简介
1.3 半导体物理仿真软件
1.4 待测器件设计
1.5 实训项目说明-待测器件设计
2 第二单元
2.1 晶体结构与PN结
2.2 载流子迁移率仿真实训
2.3 PN结二极管
2.4 PN结二极管能带图与IV特性
3 第三单元
3.1 MOSFET晶体管
3.2 TCAD MOS管电学性能仿真
3.3 MOS管建模操作视频
3.4 版图到晶圆厂
3.5 双极型晶体管结构
3.6 TCAD BJT电学性能仿真
4 第四单元
4.1 单晶硅材料——硅衬底
4.2 薄膜材料——外延
4.3 热氧化工艺
4.4 化学气相淀积
4.5 物理气相淀积
5 第五单元
5.1 光刻工艺——曝光技术
5.2 光刻工艺——可是技术
本课程旨在为学生提供对半导体材料、物理原理及其器件应用的全面理解。课程内容涵盖半导体的基本物理特性，如能带结构、载流子传输、导电性调控等，深入探讨PN结、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等核心半导体器件的工作原理和设计方法。学生将通过理论与实验相结合的方式，学习半导体器件在电子和光电子领域中的实际应用。课程为深入研究半导体技术和从事相关产业工作打下坚实的理论和实践基础。
王晓婷
深圳职业技术大学
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